針對SiC/IGBT車規(guī)級應(yīng)用，忱芯科技推出新一代精準測試解決方案

第一電動大牛作者 NE時代 2023-08-31 14:19

隨著新能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，第三代半導(dǎo)體因其高功率材料特性獲得業(yè)界青睞。作為新能源汽車、新能源發(fā)電等電力電子系統(tǒng)中的核心部件，SiC MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛；以碳化硅為核心的800V強電系統(tǒng)將在主驅(qū)逆變器、電機驅(qū)動系統(tǒng)、DC-DC到OBC及充電樁等領(lǐng)域迎來規(guī)模化發(fā)展。

如何對這些核心功率模塊進行精準、可靠的測試和篩選變得至為關(guān)鍵。

8月29-31日，功率半導(dǎo)體測試創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者——忱芯科技攜全套測試解決方案參展PCIM Asia。展會現(xiàn)場展出了Edsion動態(tài)特性測試系統(tǒng)和動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，并進行實機DEMO測試。

PCIM Asia 展會現(xiàn)場

實機DEMO測試吸引訪客問詢

Edison & Maxwell 動靜態(tài)測試系統(tǒng)

助力精準、可靠、高性價比測試

針對功率半導(dǎo)體的車規(guī)級應(yīng)用，忱芯科技研發(fā)了SiC / IGBT功率半導(dǎo)體器件動靜態(tài)測試系統(tǒng)，破解影響測試準確性和可靠性的技術(shù)難點，實現(xiàn)——

n超低回路雜感：先進疊層電容母排（小于10nH），可以進行比實際應(yīng)用工況更嚴格的動態(tài)特性測試；

n高可靠，強保護：經(jīng)過應(yīng)用驗證的高速、高頻、高可靠數(shù)字驅(qū)動電路（CMTI高達200V/μs）；同時配備高速固態(tài)保護開關(guān)，從響應(yīng)到完全切斷電流時間<2μs；

n高效率：可實現(xiàn)對功率模塊內(nèi)部所有開關(guān)器件的一鍵全自動化測試，無須更換測試母排和工裝及驅(qū)動電路板，助力高UPH；

n高精度：靜態(tài)測試系統(tǒng)通過理論分析與精準電磁建模最大限度地降低了測試線路寄生阻抗對靜態(tài)特性參數(shù)測試的影響，實現(xiàn)高效自動化測試的同時，有力保證測試精度。

推出至今，忱芯科技的SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件動靜態(tài)測試系統(tǒng)已實現(xiàn)穩(wěn)定的量產(chǎn)運行，合作客戶覆蓋頭部功率半導(dǎo)體企業(yè)及新能源車廠。其中，三電平動靜態(tài)測試機裝機量行業(yè)領(lǐng)先。

動態(tài)測試系統(tǒng)·產(chǎn)線版& 靜態(tài)測試系統(tǒng)·產(chǎn)線版

新一代SiC MOSFET動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)

讓完美的高頻方波電壓不再只停留在教科書上

SiC MOSFET功率器件需要在高電平與低電平之間頻繁切換，SiC/SiO2界面態(tài)電荷陷阱在器件開啟和關(guān)斷過程中俘獲和釋放載流子，使得SiC MOSFET閾值電壓發(fā)生漂移；SiC MOSFET漏源極長期承受高頻高壓應(yīng)力，高dv/dt下芯片快速充電導(dǎo)致老化失效。硅基功率半導(dǎo)體器件施加靜態(tài)直流應(yīng)力的傳統(tǒng)可靠性測試方法已經(jīng)沒法滿足SiC MOSFET的可靠性測試要求，模擬實際應(yīng)用開關(guān)運行條件的高溫動態(tài)高頻交流測試才能實現(xiàn)對SiC MOSFET可靠性的全面測試，包括驗證器件設(shè)計與工藝、老化測試，以及成品測試等。AQG324已經(jīng)發(fā)布了車規(guī)級SiC MOSFET器件動態(tài)可靠性測試標準。

忱芯科技推出新一代SiC MOSFET動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，覆蓋SiC MOSFET單管功率器件和功率模塊的DHTGB/DHTRB/DH3TRB動態(tài)可靠性測試，已經(jīng)交付多家SiC MOSFET企業(yè)使用。